DDR2 SDRAM hat sich bis jetzt noch nicht durchgesetzt und wird aktuell nur von den neuen Intel-Plattformen unterstützt, schon zeichnet sich die nächste Hauptspeicher-Generation ab. Samsung hat den nach eigenen Angaben weltweit ersten funktionierenden Prototypen eines DDR3 SDRAM Bausteins produziert.
Die neuen Chips mit einer Kapazität von 512Mbit können Daten mit 1066Mbps verarbeiten und sind damit deutlich schneller als heutiges DDR400 oder auch DDR2-667 SDRAM. Darüberhinaus benötigt DDR3 SDRAM auch nur noch 1,5 Volt und ist damit gerade für den mobilen Einsatz besser geeignet, bei dem es auf lange Batterielaufzeiten ankommt. DDR2 SDRAM arbeitet mit 1,8V und DDR SDRAM sogar noch mit 2,5V.
Laut Samsung soll DDR3 SDRAM in 80nm Prozesstechnologie hergestellt werden und ab 2006 auf dem Markt erhältlich sein. Man erwartet, dass sich die neue Speichergeneration bis spätestens 2007 durchgesetzt hat und bis 2009 einen Marktanteil von 65% am gesamten DRAM-Markt erreichen wird.